[20a-M206-1~10] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

△ [20a-M206-8] 量子誤り訂正に向けた不均一量子化を適用した不揮発性メモリによるComputation-in-Memory(CiM)

〇(M1)市川 裕也¹、合田 晃¹、松井 千尋¹、竹内 健¹ (1.東大工)

キーワード：Computation-in-Memory、量子誤り訂正、不揮発性メモリ

量子誤り訂正のための不揮発性メモリ(NVM)ベースのCiMデコーダを提案する。ビット誤り率耐性の検討により、重みのビットエラー率が高くても（最大0.3%）量子誤り訂正の精度を維持できることを明らかにし、NVMの量子誤り訂正への応用の道を拓いた。さらに、ビット精度に関する検討より不均一重み量子化方式を提案した。提案した方式では一様量子化CiMと比較してメモリサイズを40%以上削減することに成功した。