[20p-A200-1~11] 六方晶窒化ホウ素の新機能の発見から現在まで～研究の現状と展望、応用可能性～

[20p-A200-10] 半導体二層モアレ格子系におけるhBNを活用した物性探索

〇島崎 佑也¹ (1.理研 CEMS)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、半導体、モアレ

本講演においては分光測定によるMoSe₂/hBN/MoSe₂モアレ格子系の物性探索について紹介する。hBNを基板として用いた高品質な試料を実現し、モアレ干渉によるサブバンド構造の形成と強相関電子系の存在を明らかにした。また単層hBNをスペーサーとして活用することで電場印加によるポテンシャル差を増大し、層自由度の制御によるFeshbach共鳴や励起子の混成の様子を明らかにした。