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[20p-A200-3] 六方晶窒化ホウ素の高電界下における電気伝導と絶縁破壊
キーワード:六方晶窒化ホウ素
層状物質である六方晶窒化ホウ素(hBN)は二次元材料ヘテロ構造電子・光デバイスにおいて,理想的な絶縁基板と認識されている.本講演ではhBNの絶縁特性に関する研究を紹介する.絶縁膜に高い電界を印加すると,トンネル効果によりキャリアが注入され,キャリアがトラップされることで絶縁破壊が生じるが,hBNは結晶構造に高い異方性をもつために,絶縁特性にも異方性が現れる特徴がある.