[20p-A200-1~11] 六方晶窒化ホウ素の新機能の発見から現在まで～研究の現状と展望、応用可能性～

[20p-A200-9] グラフェン/C-doped h-BN接合での欠陥アシストトンネル

〇瀬尾 優太¹、辻 悠基¹、小野寺 桃子¹、張 奕勁¹、増渕 覚¹、守谷 頼¹、渡邊 賢司²、谷口 尚^1,2、町田 友樹^1,3 (1.東大生研、2.物材機構、3.CREST-JST)

キーワード：六方晶窒化ホウ素、グラフェン、トンネル伝導

高圧高温下で成長したh-BNにカーボンをアニールにより意図的に導入したcarbon-doped (C-doped) h-BNをトンネルバリアとして用いた、二層グラフェン/C-doped h-BN/グラファイト接合においてトンネル伝導測定を行った。二層グラフェンとグラファイト間でC-doped h-BNバリア中の欠陥状態を介した欠陥アシスト共鳴トンネルが観測された。欠陥アシストトンネルから導出される二層グラフェンの電子状態密度や、カーボン不純物と欠陥状態との関連性等について議論する予定である。