[20p-A307-1~9] 【Onsite Only】Innovative Properties Brought by Hetero-structure Materials

[20p-A307-7] Antimony Surfactant Mediated Epitaxy of GaPN alloys for Ⅲ-V/Si solar cell

〇Masashi Hikosaka¹, Akihiro Wakahara¹, Keisuke Yamane¹ (1.Toyohashi Tech.)

Keywords:crystal engineering

Ⅲ-V-N混晶は，格子定数やバンドギャップ制御の点において，Si基板を使用した無転位化合物太陽電池の新規材料として期待されている．しかし，Ⅲ-V-N混晶は，窒素クラスタや窒素起因点欠陥といった窒素原子の不均一な取り込みにより，光学的および電気的特性が著しく劣化することが問題となっている．本報告では，最適なSb導入量を検討するにあたり，GaPNの結晶性に与える，Sb供給量依存性を検討した．