[20p-A401-1~11] Neuroscience, neuroengineering, and neurocomputing for next-generation ICT and medicine

[20p-A401-7] Realizing Spike-Timing-Dependent Plasticity (STDP) With Non-Volatile Tunnel FET Memory for Spiking-Neural Network

〇Hisashi Kino¹, Takafumi Fukushima^1,2, Tetsu Tanaka^1,2 (1.Grad. Sch. Biomed. Eng. Tohoku Univ., 2.Grad. Sch. Eng. Tohoku Univ.)

Keywords:semiconductor, neuromorphic device, neural network

脳における神経活動を模倣することで、柔軟な処理に対する集積回路の性能を向上させようとする取り組みが活発に行われている。本研究では大規模かつ低電圧駆動可能なスパイキングニューラルネットワークの実現を目的とし、シナプスのスパイクタイミング依存可塑性を実現可能な不揮発性トンネルFETメモリを提案し、試作した不揮発性トンネルFETメモリについて講演する。