[20p-B103-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [20p-B103-18] Polarization control of MgZnO piezoelectric thin films for polarization-inverted multilayer devices

〇Yohkoh Shimano^1,2, Shinji Takayanagi³, Takahiko Yanagitani^1,2,4,5 (1.Waseda Univ., 2.ZAIKEN, 3.Doshisha Univ., 4.JST-CREST, 5.JST-FOREST)

Keywords:MgZnO, O-polar, Polarization-Inverted Multilayer Devices

分極反転多層デバイスは、分極方向の異なる圧電薄膜を複数層積層した構造で、BAWデバイスの耐電力性向上などが期待される。この構造を作製するためには、圧電薄膜の極性を制御する技術が必要である。
我々のグループは以前、ZnOにMgをドープすることにより、厚み縦モード電気機械結合係数k_t²が大幅に改善することを報告した。本研究では、スパッタリング時の基板設置位置および基板温度によって、as-grown時の MgZnO薄膜の分極方向を制御する方法を提案する。