[20p-B103-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

[20p-B103-2] Co 置換BiFeO₃上へのInSb 磁気センサ薄膜の製作

〇(D)李 邱穆¹、重松 圭^1,2、東 正樹^1,2 (1.東工大 フロンティア材料研、2.KISTEC)

キーワード：マルチフェロイック、薄膜、磁気センサ

BiFe_0.9Co_0.1O₃ (BFCO)は、室温で強誘電性とスピン傾斜による弱強磁性を併せ持ち、電場印加による磁化反転現象を利用することで電圧駆動型低消費電力磁気メモリへの応用が期待されている。しかし、自発磁化は0.03μB/f.u.で微弱であるため、電気信号として磁化を読み取るためには10Oe未満の検出感度を持つ磁気センサが必要である。申請者はBFCO薄膜の磁化反転の電気的検出を目指し、パルスレーザー堆積法を用いて室温で最も電子移動度が高いInSbホールセンサの製作を行なった。その結果、STOをバッファーとすることでBFCO/SrTiO₃ (001)薄膜上へInSbを成膜し、1 Oeの磁場反転をホール抵抗の符号変化として検出に成功した。