[20p-B103-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

[20p-B103-7] スパッタ法で作製した (Al,Sc)N薄膜中の不純物酸素の検討

〇長谷川 浩太^1,2、清水 荘雄²、大澤 健男²、坂口 勲^1,2、大橋 直樹^1,2,3 (1.九大院総理工、2.物材機構、3.東工大)

キーワード：強誘電体、窒化アルミニウム、光電子分光

反応性スパッタ法によりNbを0.5wt%添加したSrTiO₃(111)単結晶基板上にウルツ鉱型(Al,Sc)N薄膜を合成した。得られた(Al,Sc)N薄膜は強誘電体特性を示し、既往の報告と同様に、Sc濃度の上昇と共に抗電界が低下する傾向を示した。一方、光電子分光法での組成分析から、Sc濃度の上昇に伴う膜中の不純物酸素濃度の増加が示された。そこで、不純物酸素の起源や構造・物性への影響を議論する。