[20p-B201-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-B201-16] N極性AlGaN/AlNヘテロ接合型FETの性能に対するAlGaNチャネル層中のSiドーピング効果

〇花咲 光基¹、松村 航¹、小脇 岳土¹、奥野 椋¹、松田 駿佑¹、稲原 大輔¹、宮本 弥凪¹、藤井 開¹、倉井 聡¹、岡田 成仁¹、姚 永昭²、石川 由加里²、山田 陽一¹ (1.山口大院・創成科学、2.ファインセラミックスセンター)

キーワード：AlN