[20p-B201-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-B201-5] Thickness dependence of GaN layer in the growth of ultrathin GaN/AlN superlattice structure

〇Naoya Mokutani¹, Yuichi Wada¹, Shinichiro Mouri¹, Momoko Deura², Kanako Shojiki³, Hideto Miyake³, Tsutomu Araki¹ (1.Col. of Sci & Eng.,Ritsumeikan Univ., 2.R-GIRO, Ritsumeikan Univ., 3.Grad. Sch. of Eng., Mie Univ.)

Keywords:GaN/AlN superlattice, MBE, Deep UV

深紫外LEDの高効率化へ向けて極薄GaN/AlN超格子構造が提案されている。我々は超格子構造を高品質に作製する技術の確立を目的とし、高品質AlNテンプレート上にRF-MBE法を用いた極薄GaN/AlN超格子構造の成長を検討している。今回はGaN層の膜厚を変化させて成長し、膜厚と表面モフォロジの関係を調べた。