[20p-B203-1~22] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20p-B203-11] Changes in bandgaps of β-Ga₂O₃ induced by biaxial lattice strain

〇Takahiro Kawamura¹, Toru Akiyama¹ (1.Mie Univ.)

Keywords:gallium oxide, bandgap, first-principles calculation

半導体のバンド構造は格子歪みによって変化する事が知られているが、β-Ga₂O₃は結晶構造に異方性を持つため、格子歪みに対するバンドギャップ変化に関しても異方性が現れると予想される。その点を詳細に調べるため、第一原理計算を用いてβ-Ga₂O₃の2軸歪みに対するバンドギャップ変化およびその異方性について検討を行った。