[20p-B203-1~22] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-B203-11] 2軸歪みによるβ-Ga₂O₃のバンドギャップ変化

〇河村 貴宏¹、秋山 亨¹ (1.三重大院工)

キーワード：酸化ガリウム、バンドギャップ、第一原理計算

半導体のバンド構造は格子歪みによって変化する事が知られているが、β-Ga₂O₃は結晶構造に異方性を持つため、格子歪みに対するバンドギャップ変化に関しても異方性が現れると予想される。その点を詳細に調べるため、第一原理計算を用いてβ-Ga₂O₃の2軸歪みに対するバンドギャップ変化およびその異方性について検討を行った。