[20p-B203-1~22] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20p-B203-12] Selective area growth of β-Ga₂O₃ by HCl-based halide vapor phase epitaxy

〇Takayoshi Oshima¹, Yuichi Oshima¹ (1.NIMS)

Keywords:Ga2O3, Selective area growth, HVPE

HCl支援ハライド気相成長法（HVPE）によりβ-Ga₂O₃の選択成長に成功し、いくつかの知見を得たので報告する。