[20p-B203-1~22] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-B203-12] HCl支援ハライド気相成長法を用いたβ-Ga₂O₃の選択成長

〇大島 孝仁¹、大島 祐一¹ (1.物材研)

キーワード：Ga2O3、選択成長、HVPE

HCl支援ハライド気相成長法（HVPE）によりβ-Ga₂O₃の選択成長に成功し、いくつかの知見を得たので報告する。