[20p-B203-1~22] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-B203-14] MBE法によるⅢ族セスキ酸化物結晶成長の熱力学的検討

〇富樫 理恵¹、石田 遥夏¹、後藤 健²、東脇 正高^3,4、熊谷 義直² (1.上智大理工、2.東京農工大院工、3.大阪公立大、4.情報通信研究機構)

キーワード：Ga2O3、熱力学解析、MBE