[20p-B203-1~22] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-B203-17] β-Ga₂O₃ HVPE成長におけるエッチングガス添加効果

〇(M2)長野 理紗¹、江間 研太郎²、佐々木 公平²、倉又 朗人²、村上 尚¹ (1.東京農工大院工、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：酸化ガリウム、エピタキシャル成長

ハライド気相成長(HVPE)法を用いるβ-Ga₂O₃成長では、高品質結晶を高い成長速度で実現している。しかしながら、大きな成長反応のギブズエネルギー変化に起因した原料分子の気相反応による表面形態の悪化が課題となっている。一方、HVPE法成長時にエッチングガスを添加することで成長反応の平衡が変化する可能性が示唆されている。今回、エッチングガスの添加が成長反応に与える影響について調査したので報告する。