[20p-B203-1~22] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-B203-22] ミストCVD法を用いたSi基板上Ga₂O₃成長

〇(M2)菊池 瑛嗣¹、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京大院工)

キーワード：酸化ガリウム、酸化亜鉛、ミストCVD法

ミストCVD法を用いることでSi(111)基板上へ多結晶Ga₂O₃薄膜が成長した．株式会社ジオマテックより購入したZnO/n-Si(100)，ZnO/n-Si(111)基板上にミストCVD法を用いてc軸配向ZnOバッファ層を追加成長，その上に[001]配向κ-Ga₂O₃薄膜を成長した．ZnOバッファ層の導入により，Ga₂O₃薄膜の結晶性向上および表面平坦性の大幅な向上が示唆された．