[20p-B203-1~22] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20p-B203-3] Study for Composition Control of (Ga_1-xIn_x)₂O₃ Alloys Growth by Mist CVD Method

〇(M1)Kai Yamada¹, Rie Yamada¹, Akito Taguchi¹, Subaru Takahashi¹, Tomohiro Yamaguchi¹, Takeyoshi Onuma¹, Tohru Honda¹ (1.Kogakuin Univ.)

Keywords:Mist CVD method, Gallium Indium Oxide alloys

Mist CVD法により, GIO混晶薄膜を成長させた. Ga溶液とIn溶液を濃度が0.05 mol/Lになるように調製し, 塩酸濃度が1.2 mol/LとなるようにGIO溶液を製作した. 製作したGIO溶液をIn供給比が0 mol%から100 mol%に変化させた. この結果, In供給比が高い領域では3次元的な成長となった. In供給比が20 mol%では2次元的な成長となり, α-もしくはε-のGIOが成長したと考えられるが, 詳しい結晶構造は不明である. In供給比の増加に伴い表面モフォロジーが悪化し, 最安定相であるcubic相が成長した. 従って, In供給比が高い領域では溶液中で寄生反応が起きていると示唆される.