[20p-B203-1~22] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-B203-5] 直接合成法によるβ-Ga₂O₃薄膜成長における高品質化に向けた検討

〇高田 晃平¹、西野 克志¹ (1.徳島大理工)

キーワード：薄膜成長、Ga2O3

我々は簡便で低コストな直接合成法によりβ-Ga₂O₃の薄膜成長を行っている。これまでの直接合成法によるβ-Ga₂O₃薄膜成長では基板全体が一様でなく、基板中央では樹枝状の結晶、基板端では薄膜が成長していた。これは基板中央部へのO₂ガス供給不足が原因と考えた。そこでセットアップ変更を行った結果、基板全体で一様なβ-Ga₂O₃薄膜が得られた。さらに、成長後の降温時供給ガス条件の検討によりβ-Ga₂O₃の低温での成長が抑制され品質が向上した。