[20p-B204-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20p-B204-3] 分子線エピタキシー法による高品質Sr₃Ru₂O₇薄膜の作製と評価

〇(M1)大城 蓮¹、西早 辰一¹、藤田 貴啓²、川﨑 雅司^2,3、打田 正輝¹ (1.東工大理、2.東大工、3.理研CEMS)

キーワード：薄膜、分子線エピタキシー、電子ネマティック

Ruddlesden-Popperペロブスカイト型ルテニウム酸化物Sr_n+1Ru_nO_3n+1は多彩な電子相を示す。Sr₂RuO₄及びSrRuO₃はそれらに特徴的な電子相を示す高品質薄膜の作製が報告されている一方で、Sr₃Ru₂O₇については未だ報告がない。本研究では、電子ビーム加熱を用いた酸化物分子線エピタキシー法により、高品質Sr₃Ru₂O₇薄膜を作製するための条件を調べ、輸送特性を評価した。