[20p-C101-1~17] 16.3 シリコン系太陽電池

[20p-C101-11] 多結晶Si中の粒界上のNi関連準位の消滅過程

〇寺田 唯人¹、山下 善文¹、鈴木 弘朗¹、西川 亘¹、林 靖彦¹ (1.岡山大院自然)

キーワード：太陽電池用多結晶シリコン、Ni不純物、DLTS

意図的にNi汚染した太陽電池用p型多結晶Si中で検出される，逆バイアス電圧を印加した状態では室温程度で消滅し，電圧を除去し330 Kに温度を上げると回復する現象を示す準位についてIT-DLTS法で評価し，単結晶Siについての文献と比較してNiHに起因するものであるとした．また等温焼鈍実験を行い，逆バイアス下での消滅過程を調べ，その活性化エネルギーを求めることができた．