[20p-C101-1~17] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[20p-C101-12] Effect of high-level prior reverse bias application on the potential-induced degradation of n-type crystalline Si photovoltaic modules

〇Deqin Wu¹, Tu Thi Cam Huynh¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:Crystalline silicon solar cell, Potential Induced Degradation

n型結晶Si太陽電池モジュール電圧誘起劣化(PID)への高レベル事前逆バイアス印加の影響を調査した．+1 kV、または+2 kVの逆バイアスを20 h印加した後，逆バイアス印加無しの対照試料とともに，カバーガラス表面に設置したAl板を基準として，セルに−1000 Vを印加し，PID試験を行った．+2 kVの事前逆バイアス印加によるPIDの遅延効果を予想していたが，今回の実験では，逆にPIDが加速する傾向が確認された．