[20p-C101-1~17] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[20p-C101-4] Optimization of passivating contacts with directly-nitridated ultra-thin silicon nitride

〇(DC)Yuli Wen¹, Thi Cam Tu Huynh¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:Direct nitridation, silicon nitride, Cat-CVD

Cat-CVD装置で生成したNH_xラジカルにc-Siウェハーを曝す直接窒化法を用いて極薄SiN_x膜を形成し、パッシベーションコンタクトに応用した。XPS測定によりSiの2p軌道のシフトが観察され、SiN_xの形成と組成（x=~1.2）を確認した。ポストアニーリングにより>500 µsのτ_effを実現した。τ_effは、窒化処理時間の影響は小さく、主にアニーリング温度に依存することも確認した。