[20p-C101-1~17] 16.3 シリコン系太陽電池

[20p-C101-4] 直接窒化の極薄窒化Siを用いたパッシベーションコンタクトの最適化

〇(DC)Wen Yuli¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：直接窒化、窒化シリコン膜、Cat-CVD

Cat-CVD装置で生成したNH_xラジカルにc-Siウェハーを曝す直接窒化法を用いて極薄SiN_x膜を形成し、パッシベーションコンタクトに応用した。XPS測定によりSiの2p軌道のシフトが観察され、SiN_xの形成と組成（x=~1.2）を確認した。ポストアニーリングにより>500 µsのτ_effを実現した。τ_effは、窒化処理時間の影響は小さく、主にアニーリング温度に依存することも確認した。