[20p-C102-1~16] 9.5 新機能材料・新物性

[20p-C102-11] 強磁性体CoFeBとトポロジカル絶縁体Sb₂Te₃の界面反応挙動

〇諸田 美砂子¹、齊藤 雄太¹、畑山 祥吾¹、内田 紀行¹ (1.産総研)

キーワード：カルコゲナイド、トポロジカル絶縁体、界面

トポロジカル絶縁体は強いスピン軌道相互作用を持つことから、高効率なスピン源として期待される。本研究では、トポロジカル絶縁体Sb₂Te₃と強磁性体CoFeBを用い、Sb₂Te₃/CoFeB接合界面の材料の反応性と磁気特性への影響について調べた。さらに、磁気メモリ等でトンネル絶縁膜として利用されるMgO薄膜をSb₂Te₃/CoFeB界面に挿入し、熱処理を行った際の、界面反応をXRDやHAXPES等によって分析し、界面構造やMgOのバリア性についても検討を行ったので報告する。