[20p-C202-1~8] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20p-C202-2] CZ-Si単結晶中のN-V複合体の安定性とそれにOが与える影響 (2)

〇佐田 晃¹、野田 祐輔²、末岡 浩治²、梶原 薫³、宝来 正隆³ (1.岡山県大情報系工、2.岡山県大情報工、3.株式会社SUMCO)

キーワード：窒素、原子空孔、酸素

CZ-Si単結晶の高品質化において，点欠陥の制御は重要な技術課題である．Si結晶中に窒素(N)を添加することで原子空孔(V)の凝集を抑制し，ボイド欠陥のサイズが大幅に低下することが知られている．最近ではCZ法に起因してSi結晶中に取り込まれる酸素(O)濃度の上昇に伴ってNによるボイド抑制効果が弱まることが明らかになっている．これらの現象に関連するN, V, Oを含む複合体について第一原理計算を行った結果を示し議論する．