[20p-C302-1~12] 6.4 薄膜新材料

[20p-C302-11] NaBH₄エピタキシャル薄膜の合成と成長方位制御

〇中山 亮¹、河口 祐飛¹、清水 亮太¹、西尾 和記¹、大口 裕之²、金 相侖^3,4,5、折茂 慎一^4,5、一杉 太郎^1,6 (1.東工大物質理工、2.芝浦工大工、3.GIST、4.東北大WPI-AIMR、5.東北大金研、6.東大院理)

キーワード：錯体水素化物、薄膜、赤外レーザー

近年、NaBH₄は水素貯蔵材料やイオン伝導体として注目を集めている。NaBH₄の精緻な物性研究に向けて、エピタキシャル薄膜合成とその成長方位制御の実現が重要である。ここで、赤外パルスレーザー堆積法(IR-PLD法)は、錯イオン構造([BH₄]⁻)を維持した成膜が可能な手法である。しかし、IR-PLD法がLiBH₄以外の錯体水素化物の薄膜合成に用いられた報告例はない。そこで、本研究では、IR-PLD法を用いて、NaBH₄エピタキシャル薄膜の合成と成長方位制御を行った。