[20p-C306-1~9] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20p-C306-3] Coalescence of double-rhombic 1SSF expanded from half-loop arrays in 4H-SiC

〇Johji Nishio¹, Chiharu Ota¹, Ryosuke Iijima¹ (1.Toshiba R&D Center)

Keywords:single Shockley type stacking fault, UV illumination, photoluminescence imaging

4H-SiCエピ層中の基底面転位が完全60°転位である場合は二重菱形の単一ショックレー型積層欠陥(DRSF)に拡張することを前回報告した。今回、ハーフループアレイから拡張するDRSFの合体現象につき、異常に速い拡張速度の原因となる構造推定を行った。