[21a-A102-1~7] 9.3 Nanoelectronics

△ [21a-A102-2] Stability Improvement of Metallic Single-Electron Transistors by a Cover of Atomic Layer Deposited Insulating Film

〇Yoshiaki Iwata¹, Go Sakamoto², Alka Singh³, Hiroaki Satoh⁴, Hiroshi Inokawa⁴ (1.GSIST, Shizuoka Univ., 2.Eng., Shizuoka Univ., 3.GSST, Shizuoka Univ., 4.RIE, Shizuoka Univ.)

Keywords:Single-Electron Transistor

金属からなる単電子トランジスタ(SET: single-electron transistor)は、半導体からなるSETに比べ寄生抵抗が小さいため超高周波デバイスとして有望である。しかし、金属SETは電荷オフセットドリフトが大きく動作が不安定という欠点がある。そこで、本研究では、金属SETの安定性改善のための保護膜として原子層堆積法(ALD : atomic layer deposition)による絶縁膜に着目し、その評価を行ったので、その結果について発表する。