[21a-A105-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[21a-A105-6] 厚さを変えた希薄窒化GaNAs量子井戸とトンネル結合したInAs量子ドットの円偏光発光特性

〇細江 真義¹、佐藤 紫乃¹、樋浦 諭志¹、高山 純一¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：量子ドット、希薄窒化ガリウムヒ素、円偏光フォトルミネッセンス