[21a-A105-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[21a-A105-9] Si上GaAs成膜において初期成長過程が残留歪の異方性に与える影響

〇(M1)安河内 唯人¹、小島 信晃¹、大下 祥雄¹ (1.豊田工業大学)

キーワード：二段階成長、Migration Enhanced Epitaxy(MEE)