[21a-A106-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[21a-A106-2] 多結晶 Ge 薄膜の三元混晶化による熱電性能向上

〇前田 真太郎¹、石山 隆光¹、末益 崇¹、都甲 薫¹ (1.筑波大院)

キーワード：ゲルマニウム、薄膜、固相成長

IV族三元混晶半導体は、その高いゼーベック係数や低い熱伝導率により、環境調和型熱電材料 としての近年注目を集めている。我々はこれまでに、高密度非晶質Geを前駆体とした固相成長により、Ge薄膜の高移動度化を達成してきた。さらに、これらのGe薄膜の熱電応用を検討した結果、多結晶半導体薄膜の中でも最高レベルの出力因子を実証した。しかし、単体Ge膜の熱伝導率は依然として高く、無次元性能指数ZTは制限されている。本研究では、固相成長Ge膜をベースとすることで高い出力因子を維持しながら、SiやSnとの混晶化により積極的に熱伝導率を低減することを検討した。