[21a-A306-1~9] 3.6 レーザープロセシング（旧3.7）

[21a-A306-3] 直線偏光二色レーザーによる絶縁体のイオン化確率の理論的研究

〇谷 水城¹、石川 顕一¹ (1.東大院工)

キーワード：半導体、絶縁体、ケルディッシュ理論

単色レーザーよりも２色レーザーの方が非金属材料の光吸収が強くなるという報告が複数ある。本研究では、絶縁体の単色直線偏光レーザー下の電子励起確率のKeldysh風公式を2色レーザーの場合に拡張し、α-SiO2 を模した等方的二バンドモデル(バンドギャップ 9 eV)に適用する。