[21a-A306-1~9] 3.6 レーザープロセシング（旧3.7）

[21a-A306-7] 半導体アブレーション閾値のパルス幅依存性精密測定

〇(M2)土屋 叡本¹、遠藤 翼¹、櫻井 治之¹、谷 峻太郎¹、小林 洋平¹ (1.東大物性研)

キーワード：レーザーアブレーション、半導体

レーザーアブレーション閾値及びそのパルス幅依存性は，レーザー加工時のエネルギーの入射や拡散の議論を行う上で非常に重要な手掛かりとなっており，アブレーションプラズマによる発光シグナルを用いたフィードバック測定手法はそれを精密に測定するために強力な手法である。我々は今回，アブレーション閾値以下でも発光が起こる直接遷移半導体に対してもこの測定手法によって精密に閾値を測定することに成功した。