[21a-B202-1~11] 13.9 化合物太陽電池

[21a-B202-11] 硫黄粉末を用いた硫化法によるCu(In,Ga)S₂の作製

〇(M1)柴田 智樹¹、鈴木 陽太¹、西村 昂人¹、山田 明¹ (1.東工大工)

キーワード：Cu(In,Ga)S2、薄膜、銅欠乏

Cu(In,Ga)S₂(CIGS)太陽電池はバンドギャップが約1.5eVであり, 太陽電池の吸収層として理想的である. CIGS太陽電池はCu-richとした場合に有毒なKCNエッチングが必要となる. KCNプロセスを避けるため, 本研究ではCu-poor組成に制御したプリカーサを用いたCIGSの成長過程について調査した.
硫化温度300℃においてはCuが表面側, GaおよびInが裏面側に偏析していた. 硫化温度500℃では表面側にCuInS₂, 裏面側にCuGaS₂が形成されていることが確認された.