[21a-B203-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21a-B203-5] 岩塩型MgZnO混晶のドーピング傾向の予測

〇太田 優一¹、金子 健太郎²、尾沼 猛儀³、藤田 静雄² (1.都産技研、2.京都大学、3.工学院大学)

キーワード：超ワイドバンドギャップ半導体、酸化物半導体、バンドエンジニアリング

簡易的な方法でドーピングピニングエネルギーを見積もり、MgZnOのDopabilityを予測した。