[21a-B203-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[21a-B203-6] Electric field dependence of the absorption edge in a high resistivity ZnO substrate

〇Haruyuki Endo¹, Kashiwaba Yasube² (1.Iwate Ind. Res. Inst., 2.Iwate Univ.)

Keywords:ZnO, Franz-Keldysh effect

我々はこれまでアバランシェ増幅動作を目指した光起電力型ZnO紫外線センサ開発を行ってきた。半導体に電界が印加された場合、吸収端が低エネルギー化するFranz-Keldysh効果が知られているが10⁴ V/cm以上の高電界が印加された場合、吸収端の低エネルギー化が顕著となり分光感度特性に影響を及ぼす恐れがある。そこで本研究では、高抵抗ZnO基板を使用し、電界による吸収端の変化を評価したので報告する。