[21a-B204-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-B204-9] ReRAM素子のRESET時抵抗変化の直流パルス間隔の影響

〇黄 川洋¹、田中 正和¹、岡安 眞治¹、清水 智弘¹、伊藤 健¹、新宮原 正三¹ (1.関西大シス理工)

キーワード：抵抗変化デバイス