[21a-C101-1~10] 13.8 光物性・発光デバイス

△ [21a-C101-10] 和周波分光法を用いたhBN封止単層遷移金属ダイカルコゲナイド励起子準位構造の解明

〇高橋 伸弥¹、草場 哲¹、渡邊 賢司²、谷口 尚²、柳 和宏³、田中 耕一郎^1,4 (1.京大院理、2.物材機構、3.東京都立大院理、4.京大iCeMS)

キーワード：励起子、単層半導体、非線形分光

我々はhBNで封止した単層MoSe2に対して和周波分光測定を行い、基底状態の1s励起子に加え、光学遷移禁制な2p状態等の複数のピークを観測した。そのエネルギー位置はRytova-Keldyshポテンシャルモデルを用いた数値計算結果とおよそ整合したが、わずかなずれが見られた。講演においては、単層WSe2に対する結果との比較も行いながら、単層遷移金属ダイカルコゲナイド励起子準位構造に対する電子バンド構造や交換相互作用などの寄与に関して議論を行う。