The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[21a-C101-1~10] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Wed. Sep 21, 2022 9:30 AM - 12:00 PM C101 (C101)

Ariyuki Kato(Nagaoka Univ. of Tech.)

10:00 AM - 10:15 AM

[21a-C101-3] Improved optical properties of Er-doped CeO2 on SOI substrate by Gd2O3 buffer layer

Tomohiro Inaba1, Xuejun Xu1, Takehiko Tawara2, Hiroo Omi3, Hideki Yamamoto1, Katsuya Oguri1, Haruki Sanada1 (1.NTT BRL, 2.Nihon Univ., 3.Yamato Univ.)

Keywords:MBE

通信波長帯光子で動作する光量子メモリの材料として、SOI基板上のEr添加CeO2に注目している。
その光学特性向上のために、SOI基板とEr添加CeO2の間に結晶性が優れたGd2O3バッファ層を導入したところ、ErのPL強度は1.4倍に増大、Erの不均一幅は22GHzから13GHzに減少させることに成功した。