[21a-C101-1~10] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[21a-C101-3] Improved optical properties of Er-doped CeO₂ on SOI substrate by Gd₂O₃ buffer layer

〇Tomohiro Inaba¹, Xuejun Xu¹, Takehiko Tawara², Hiroo Omi³, Hideki Yamamoto¹, Katsuya Oguri¹, Haruki Sanada¹ (1.NTT BRL, 2.Nihon Univ., 3.Yamato Univ.)

Keywords:MBE

通信波長帯光子で動作する光量子メモリの材料として、SOI基板上のEr添加CeO₂に注目している。
その光学特性向上のために、SOI基板とEr添加CeO₂の間に結晶性が優れたGd₂O₃バッファ層を導入したところ、ErのPL強度は1.4倍に増大、Erの不均一幅は22GHzから13GHzに減少させることに成功した。