[21a-C101-1~10] 13.8 光物性・発光デバイス

[21a-C101-3] Gd₂O₃バッファ層導入による SOI基板上 Er添加 CeO₂の発光特性改善

〇稲葉 智宏¹、徐 学俊¹、俵 毅彦²、尾身 博雄³、山本 秀樹¹、小栗 克弥¹、眞田 治樹¹ (1.NTT物性研、2.日大、3.大和大)

キーワード：MBE

通信波長帯光子で動作する光量子メモリの材料として、SOI基板上のEr添加CeO₂に注目している。
その光学特性向上のために、SOI基板とEr添加CeO₂の間に結晶性が優れたGd₂O₃バッファ層を導入したところ、ErのPL強度は1.4倍に増大、Erの不均一幅は22GHzから13GHzに減少させることに成功した。