[21a-C101-1~10] 13.8 光物性・発光デバイス

△ [21a-C101-7] InAs量子ドットを用いた電界効果型光スピンデバイス特性の温度依存性

〇朴 昭暎¹、樋浦 諭志¹、高山 純一¹、末岡 和久¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：量子ドット、電子スピン偏極率、電界効果

デバイスの室温動作を向けてInAs量子ドットを用いた電界印加型光スピンデバイスを作製し，量子ドットにおける電子スピンの偏極特性の温度依存性を調べた．