[21a-C101-1~10] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

△ [21a-C101-9] Evaluation of effective mass in Si doped GaAsN by Photoluminescence properties

〇Natsu Minami¹, Takashi Tsukasaki¹, Miki Fujita², Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ., 2.Ichinoseki College)

Keywords:Electron effective mass, Si doped GaAsN, Photoluminescence

低いN組成のGaAsNは、GaAs基板に格子整合することや室温でのEgが小さくなるバンドギャップボウイングという特性を持つ。そのため、多接合型太陽電池やトンネルダイオードなどのデバイスに応用されている。そこで、本研究では、フォトルミネッセンス測定によりSiドープGaAs及びGaAsNの電子有効質量を評価したので、その結果について報告する。