[21a-C105-1~12] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [21a-C105-1] PCM/セレクタ積層メモリにおけるリセット電流のGeSbTe組成依存性

〇松澤 雄矢¹、上遠野 一広¹、藤井 章輔¹、藤巻 剛¹ (1.キオクシア)

キーワード：相変化メモリ、PCM、SCM

相変化メモリ（Phase change memory, PCM）とセレクタを積層した1S1R型メモリは、SCMのメモリ構成要素として注目を集めている。PCMの書き換え動作は、電圧パルスを印加しメモリセルを流れる電流によるジュール熱を利用して行われる。特にリセット動作においては融点まで温度を上昇させるため大電流が必要であり、動作電流の低減が望まれている。そこで本研究では、PCM/セレクタ積層メモリを試作し、PCMとして最もよく知られるGeSbTeの元素組成とリセット電流の関係を物理メカニズムも含めて詳細に調べた。