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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[21a-C105-1~12] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

2022年9月21日(水) 09:00 〜 12:15 C105 (C105)

木下健太郎(東理大)、山内智(茨大)

09:45 〜 10:00

[21a-C105-4] FinFETを用いた低電圧駆動不揮発性SRAM (NV-SRAM)の設計

〇山崎修¹、塩津勇作¹、山本修一郎¹、菅原聡¹ (1.東工大未来研)

キーワード：パワーゲーティング、SRAM