[21a-C200-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [21a-C200-2] Thermodynamic analysis of Oxide Vapor Phase Epitaxy of GaN

〇(M1)Yuki Sakurai¹, Shigeyoshi Usami¹, Masayuki Imanishi¹, Tomoaki Sumi², Junichi Takino², Yoshio Okayama², Mihoko Maruyama¹, Masashi Yoshimura³, Masahiko Hata⁴, Masashi Isemura⁵, Yusuke Mori¹ (1.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 2.Panasonic Holdings Corp., 3.ILE, Osaka Univ., 4.Itochu Plastics Inc., 5.Sosho-Ohshin Inc.)

Keywords:gallium nitride, Oxide Vapor Phase Epitaxy, thermodynamic analysis

気相成長における成長可否判断や成長速度予測において、熱力学解析は非常に有効な手段である。しかし、HVPE法における熱力学解析は盛んに研究されている一方、OVPE法における熱力学解析では実際の実験結果と比較した詳細な研究がなされていない。そこで本研究では、OVPE法を用いたGaN成長の熱力学解析を実施し、実験結果との比較検討を行った。