[21a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21a-C200-2] OVPE法によるGaN結晶成長の熱力学解析

〇(M1)櫻井 悠貴¹、宇佐美 茂佳¹、今西 正幸¹、隅 智亮²、滝野 淳一²、岡山 芳央²、丸山 美帆子¹、吉村 政志³、秦 雅彦⁴、伊勢村 雅士⁵、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.パナソニックホールディングス(株)、3.阪大レーザー研、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.(株)創晶應心)

キーワード：GaN、OVPE、熱力学解析

気相成長における成長可否判断や成長速度予測において、熱力学解析は非常に有効な手段である。しかし、HVPE法における熱力学解析は盛んに研究されている一方、OVPE法における熱力学解析では実際の実験結果と比較した詳細な研究がなされていない。そこで本研究では、OVPE法を用いたGaN成長の熱力学解析を実施し、実験結果との比較検討を行った。