[21a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-C200-5] THVPE法におけるInGaN薄膜成長の膜厚制御性とヘテロ構造の検討

〇小林 伊織¹、江間 研太郎¹、山田 千帆¹、山口 智広²、村上 尚¹ (1.東京農工大学、2.工学院大学)

キーワード：窒化物半導体、結晶成長、エピタキシャル成長

InGaN結晶成長の各種課題に対し我々は、高純度の金属三塩化物を原料とし、高温での組成制御性が高いことを特徴とするTHVPE法を提案している。本研究ではInGaN/GaNの多層ヘテロ構造を作製し、薄膜成長の膜厚制御性を調査するとともに長波長受発光デバイス作製の可能性を検討した。