[21a-C202-1~12] 17.3 層状物質

[21a-C202-12] 微結晶MoS₂膜への硫黄雰囲気アニールによる結晶性向上

〇小野 凌¹、今井 慎也¹、宗田 伊理也¹、角嶋 邦之¹、筒井 一生¹、若林 整¹ (1.東工大工)

キーワード：スパッタリング、遷移金属ダイカルコゲナイド、結晶性

2次元半導体の1つであるMoS₂は、原子レベルの膜厚において高い移動度を実現できることから、ナノシートトランジスタのチャネル材料として期待されている。MoS₂膜の結晶性向上のために様々な取り組みが行われている中で、本研究では、MoS₂微結晶をスパッタ堆積後に、硫黄雰囲気中でアニール処理(SVA)を行うことに着目した。ラマン分光法により、結晶性の高いMoS₂サンプルにSVAを施すよりも高い結晶性を得ることに成功したため報告する。